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正文 第66章 教会了徒弟,饿死了师傅!(第1页/共2页)

    博士生工作间。

    张明浩坐在电脑前,打开了所做的数据分析的文件。

    陈帅和陈兰君一左一右把他夹在中间。

    「这是你做的?看起来有模有样的。」陈帅笑着点评了句。

    陈兰君翘起了嘴角,邀功式的说道,「我教了他好几个方法。」

    「对丶对,你行,你厉害!」

    陈帅哄孩子似的夸了一句,明显都没走心,他的表情神态让陈兰君颇受打击。

    张明浩好笑的摇了摇头,就认真讲了起来,「看这一组,温度。」

    「我是采用基础分析策略,先找出数据组中和温度相关的……」

    「下一步是排除干扰因素,把温度相关数据提出,并大范围的做计算。」

    「使用统计学上的……」

    他详细讲了起来。

    陈帅和陈兰军都认真听着。

    张明浩的分析用的是基础方法,统计计算的方式很新颖,但也没有超出常规之外。

    他们简单一听就知道没有问题。

    等一系列的方法讲完了以后,电脑上已经列出了对比数据。

    陈帅仔细看了看,发现也确实没什麽问题,从最终得出的偏差组来看,已经达到了『弱关联』的程度。

    他拧着眉头想了想,「好像是没什麽问题。」

    再仔细琢磨一下,乾脆道,「这个先留着,讲下一个吧。」

    下一个影响因素是表层单晶通路的宽度。

    碲化铋所制造的衬底,和半导体衬底很相似,是一个表面上看起来平整的片状结构。

    但圆盘上设计了一个个『通路』的。

    在通路上就会进行各种半导体器件和电路的制造,因为半导体是非常精密的,一个个通路小到肉眼都分辨不出来。

    如果放大了来看,半导体的衬底可以简单理解为一个模具,把融化后材料倒在模具上,凝固后就可以得到想要的形状。

    当然,半导体衬底工艺上要复杂太多了。

    张明浩找到的第二个影响因素就是碲化铋衬底表层单晶通路的宽度。

    「单晶通路的宽度同样有影响。」

    「不同的宽度,最终制造的实验产物特性是不同的,我发现我们的实验使用过三种不同通路宽度的衬底,把其实验产物特定做对比,实际上也存在不同……」

    「陈老师,你看这几组数据,采用平均化对比方法,会存在的偏差……」

    「看起来似乎一样,实际上,如果再进行……」

    「因为是统计上的数据……」

    张明浩继续说了起来。

    陈帅听的很认真,他还不断理解着点头。

    但一直等到最后,他也没发现张明浩的统计计算方法有什麽问题,但最终的偏差组依旧显出了数据上『弱关联』。

    弱关联,也就是说,关联可能存在也可能不存在。

    他所找到的『磁性关联』也同样是弱关联,所以不能从关联强度上否定张明浩的发现。

    那怎麽否定?

    陈帅只能喃喃道,「你讲下一个,这个先留着,再看看。」

    ……

    一个小时以后,陈帅手里拿着一点资料出了工作间。

    他用力拧着眉头,眼球在眼中定住了,走路的速度很慢,比踱步还慢,每迈出一步都要停一下。

    他处在一种深度的思索状态,甚至都感受不到外在的情况。

    「不可能啊……」

    「怎麽会没有问题呢?一定是有问题的,昨天开始进行分析,到现在连一天都没有……」

    「找到六组弱相关?」

    「可是,没什麽问题啊?他用的都是常规方法,能有什麽问题……」

    他忽然回过神来,猛的朝脑袋狠狠的一拍,用的力气上浑身都跟着一颤。

    「这麽简单就能找到弱关联,为什麽我就没有找到呢!」

    「真是怪了……」

    陈帅的心情很是糟糕,因为他感觉自己就像是笨学生。

    面对一道数学题的时候,怎麽也想不出来,有学习好的帮忙讲一下,顿时明白过来。

    这麽简单?

    为什麽就是想不到?

    他眼中满
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